Estos discos son Memorias Flash que se conectan directamente al conector IDE como un disco duro. Ideal para sistemas donde las partes mecánicas de los discos duros pueden sufrir desperfectos por vibraciones, movimientos o bruscas variaciones de temperatura.
Este es un dispositivo basado en memorias no volátiles y que se comportan con las características generales de cualquier disco rígido de conexión IDE, pero con algunas ventajas que lo hacen utilizables en situaciones especiales. Las principales características de estos discos son que los mismos son de bajísimo consumo eléctrico, mínima ocupación de espacio, no tienen partes mecánicas móviles, presentan una alta resistencia a los impactos y vibraciones, son capaces de operar en una rango muy amplio de temperaturas y con fuertes gradientes de variación de la misma, ofrecen velocidades de lectura y escritura elevadas y uniformes sobre toda la capacidad del disco (los discos mecánicos pueden ofrecer altas velocidades en los cilindros externos, pero caen casi a la mitad para los cilindros internos), registran tiempos medios de acceso de fracción de milisegundo contra varios milisegundos de los discos mecánicos, tienen una muy larga durabilidad y ofrecen los más altos niveles de confiabilidad e integridad de datos, todo lo que les otorga una serie de virtudes que los convierten en elementos muy útiles, en particular cuando se trata de funcionar en condiciones de recibir movimientos bruscos y vibraciones, como sucede con aquellos que van montados en móviles o sobre equipamientos industriales.
Los IFMs (IDE Flash Module) de 40 pines de alta velocidad de PQI, son de un tamaño compacto y tienen un excelente rendimiento en retención de datos. Es ideal en situaciones de uso en ambientes hostiles, como ser PCs industriales, sistemas embebidos, instrumental médico, sisterma de automatización industrial, infraestructuras de redes y otros equipos industriales.
Comparado con un disco rígido convencional, los IFMs ofrecen una operación totalmente silenciosa, protección contra golpes y vibraciones, mayor tiempo de retención de datos, altas velocidades de transferencia de datos y un muy conveniente ahorro de consumo electrico, espacio y disipación térmica, ésta última redundando en importantes economías sobre los sistemas de ventilación y refrigeración del equipo host.
Con la función ECC (Error Correction Code) embebida, el IFM de PQI asegura una alta confiabilidad en la trasnferencia de datos a la aplicación final.
Estos DOMs no requieren de ningún cable de transferencia de datos pues van directamente conectados al puerto IDE de la placa madre del equipo host y sólamente requieren la conexión del cable de alimentación de energía (provisto con el mismo) que toma la corriente necesaria directamente desde la fuente de poder del equipo que los alberga. Esto además de simplificar muy notablemente la instalación del mismo evitando madejas de cables, también disminuyen la producción de errores por interferencias electromagnéticas de otros componentes del equipo.
PQI utiliza en sus IFMs, flash chips NAND de tecnologia SLC (Single-Level-Cell) de Hynix, capaces de proveer una mayor velocidad de grabación y lectura, así como una mucho más larga durabilidad de las celdas de memoria, la cual es a su vez reforzada por eficientes y poderosos algoritmos de Wear-Leveling (nivelación del desgaste) que aseguran un desgaste uniforme de las celdas de memoria, proveyendo así un importante plus en la durabilidad de todo el dispositivo.
Los IFM verticales de PQI son una perfecta elección por parte de profesionales de la industria que necesitan alto rendimiento, confiabilidad y durabilidad en una pieza de pequeñas dimensiones.
PQI ofrece los IFMs PE40V en un rango de capacidades que van desde los 32 Mb hasta los 16 Gb para las diferentes necesidades industriales.
Características, funciones y especificaciones:
Capacidades de almacenamiento: 128 Mb, 256 Mb, 512 Mb y 1 Gb
Pequeño factor de forma con un conector IDE (ATA) estándar
Conector de 40 pines hembra (conexión directa al motherboard) con pitch de 2,54 mm
Operación totalmente silenciosa
Utiliza bancos de memoria NAND SLC de Hynix de alta performance y confiabilidad
Puede ser configurado como unidad Master o unidad Slave (switch de selección sobre el dispositivo)
Soporta particionado y operación como disco del Sistema Operativo
Puede operar como disco de arranque del sistema
Velocidad de lectura hasta 35 Mbytes/seg y de escritura hasta 25 Mbytes/seg
Voltaje de operación: 5V ± 5%
Consumo máximo 680 mVatios (<140 mA)
Temperaturas de operación: -40°C ~ 85°C
Temperaturas de almacenaje: -55°c a 140°C
Duración: 2.000.000 ciclos Program/Erase
Duración del conector: 10,000 operaciones de inserción/extracción
MTBF: 1.500.000 horas
Resistencia a golpes: 1500 G, duración 0,5 mseg, media onda sinoidal
Resistencia a las vibraciones: 15 G pico, 10 a 2000 ciclos por segundo, en los 3 ejes
Totalmente compatible con dispositivos y Sistemas Operativos soportando el standard IDE
La función ECC embebida asegura la integridad de la trasnferencia de datos
Integra potentes algoritmos de Wear-Leveling que aseguran un mismo nivel de degaste para todas las celdas de memoria del dispositivo
Cumple con la especificación ATA-7 Versión 3
Soporta hasta el modo PIO 6 (modos 0 a 6)
Soporta Multi Word DMA modos 0 a 4
Soporta Ultra DMA modos 0 a 4
Soporta los modos "Auto Sleep" y "Power-Down"
Dimensiones: 59,16 +/- 0,15 mm * 27,20 +/- 0,20 mm * 6,20 +/-0,15 mm
Sobresale menos de 20 mm del conector IDE
Peso: < 12 gramos
Viene provisto con cable separable para la alimentación de 30 cm de largo y un peso < 11 gr
Tiene certificaciones FCC, CE, BSMI y RoHS